啥叫反向二极管_啥叫反向支撑

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北京时代敏芯科技有限公司已获得沟槽栅极VDMOS器件的改进型寄生体二极管反向恢复...据金融界消息，2024年11月30日，国家知识产权局信息显示，北京时代敏芯科技有限公司已获得一种改进的寄生体二极管反向恢复技术。 该专利名称为"一种改进沟槽栅极VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法"，授权公告号为CN112447525B，申请日期为2020年11月。

上海超半导体申请超级结开关器件专利，改善第一体区、辅助沟道区、第一掺杂型柱、栅极绝缘层和栅极的体二极管反向恢复特性 该极构成寄生金属氧化物半导体场效应晶体管，辅助沟道区的掺杂浓度用于调节寄生金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压的绝对值。 本发明实施例的技术方案有效提高了体二极管的反向恢复特性，且不影响器件的反向阻断特性。

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续流二极管在H桥电路中的作用和重要性分析电机绕组会产生反向电动势以维持原来的电流方向。 此时，续流二极管为该反向电流通过提供低阻路径，从而避免对其他敏感元件的影响。 (2)提供返回路径除了防止电流突然变化外，续流二极管还为电感器（如电机绕组）提供必要的环路，以确保即使在开关状态发生变化后...

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上海吉塔半导体申请了接触孔相关专利，减少了快恢复二极管中反向电流的初始接触孔以及初始接触孔角部残留的介质层该厚度大于初始接触孔底部剩余介电层的厚度；采用第二蚀刻工艺从初始接触孔蚀刻介电层和部分场氧化层，形成延伸至场氧化层内部的接触孔。 本发明保证了刻蚀后剩余场氧化层的厚度，减少了快恢复二极管中的反向电流。

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...电源专利避免了由于反向恢复而导致自举二极管故障和性能下降的风险。第一开关管的第一端连接到第一电容器的第二端，第一开关管的第三端 两端通过限流电路连接至桥式驱动电路的功率端，当第一开关管导通时，功率端通过限流电路和第一开关管对第一电容进行充电，限流电路用于限制流向第一电容的流量。 充电电流。 通过以上设置，避免了自举二极管因反向恢复而失效的风险...

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深圳市艾斯特科技有限公司已获得结势垒肖特基二极管专利，有效提高反向击穿电压。据财经界消息，2024年11月19日，国家知识产权局信息显示，深圳市艾斯特科技有限公司已获得一项结型势垒肖特基二极管专利，可有效提高反向击穿电压。 该专利名称为"种子结势垒肖特基二极管"，授权公告号...该区域的宽度小于位于外延层的P型区域的宽度。 通过上述P型区的设计，可以显着降低P型区边角处电场集中的影响，从而有效提高反向击穿电压。

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苏州Amtec获得耐高压肖特基二极管专利提高了其反向电阻...这些半导体本体具有一体定位的加强支撑框架，并且半导体基板具有一体定位的保护外框架。 本实用新型所述的具有耐高压性能的肖特基二极管，降低了器件击穿电压对JTE浓度的敏感性，提高了其耐反向击穿能力，同时提高了半导体的使用强度和耐压性能。 更优异的表面具有良好的防护效果并具有...

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鼎芯通讯申请雪崩光电二极管去校准方法专利，以完成反向偏置的校准。本申请公开了一种雪崩光电二极管去校准方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：非光控温控AP位移 将待校准的APD按照预设的温控顺序置于不同温度的环境中；在每个温度下对待校准的APD施加逐渐增大的反向偏压，并使用温度测量电阻和暗电流检测电路...

...H3TR可靠性能力二极管及制备方法专利，改进了耐压二极管及整个器件的制备方法，涉及半导体器件。 本发明延长了P型掺杂区2的长度，从而能够在HV-H3TRB的高压高湿环境下保护碳化硅外延层，从而保护整个器件不被击穿。 本发明延长了P型掺杂区2的长度，使得端子的电场强度进一步分解，从而提高了整个器件的耐压能力。 本文来自财经...

探索：H桥电路中续流二极管的秘密"续流二极管"通常用于保护电路中的元件，防止它们被感应电压击穿或损坏。 在H桥电路中，它与每个MOS管开关并联，并连接在电感（负载）两端。 那么，它在H桥电路中的具体作用是什么？（1）防止电流突然变化。当电路中的功率开关器件进行切换时，根据楞次定律，电机绕组将产生反向电动势...

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